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GlobalFoundries:纽约工厂7月动工 后年28nm

  GlobalFoundries制造系统与技术副总裁Tom Sonderman在Computex 2009的新闻发布会上宣布,位于纽约州的新工厂Fab 2将于今年7月份正式破土动工,并在2011年投产28nm工艺芯片,而现在45nm工艺的良品率也已经非常成熟。

  目前位于德国德累斯顿的Fab 1晶圆厂将在年底全部转向40/45nm,以便为Fab 2如期进军后28nm时代做好准备,比如说2012年上马22nm工艺。

  从AMD拆分出来后,作为纯代工厂的GlobalFoundries已经成为台积电的主要竞争对手。在被问及对公司未来展望时,Sonderman只是说GlobalFoundries的目标是抢在Intel之前迈入后45nm时代。从进度安排上看,两年公司都应该会在今年下半年投产32nm,不过GlobalFoundries的大规模量产还要等到明年上半年。

  Sonderman还在演讲中提到,Intel虽然在2007年第四季度就已投产45nm工艺,但直到2008年第三季度才达到50%的良品率,而晚了一年投产的AMD在2009年第一季度就完成了这一跨越,只慢了半年。

  Fab 1由两部分组成,分别负责45nm HP SOI工艺和32nm HP Bulk工艺,后者定于今年晚些时候投产,最大生产能力每月2.5万块晶圆。

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